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IXTA 7N60P
IXTP 7N60P
7
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
14
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
6
V GS = 10V
8V
12
V GS = 10V
8V
7V
5
4
10
8
7V
3
6V
6
6V
2
1
0
5V
4
2
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
7
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
2.6
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
6
5
4
3
2
1
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
I D = 7A
I D = 3.5A
0.6
0
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
8
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXTP88N085T 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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